二次电子是由于被入射电子“碰撞”而获得能量，逃出样品表面的核外电子，其主要特点是：
(1)能量小于50eV，较易被检测器前端的电场吸引，因而阴影效应较弱。
(2)只有样品表面很浅（约10nm）的部分激发出的二次电子才能逃出样品表面，因此二次电子像分辨率较高。
(3)二次电子的产额主要取决于样品表面局部斜率，因此二次电子像主要是形貌像。
可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成，这些细节的不同部位发射的二次电子数不同，天津台式电镜，从而产生衬度。
二次电子像分辨率高、无明显阴影效应、场深大、立体感强，是扫描电镜的主要成像方式，特别适用于粗糙样品表面的形貌观察。
电子束撞击样品的三个信号
当电子束撞击样品时，随着电子进一步穿透到样品内部，会发生多种相互作用。
在扫描电镜中有三个重要的信号，分别是背散射电子、二次电子、X 射线，如图 1 所示。
关于不同的信号来自于哪个深度，天津台式电镜型号，与高能量信号相比，天津台式电镜分辨率，样品深处产生的低能量信号到达表面的概率更低。
也就说，较低能量的信号更容易被样品吸收，而较高能量的信号更容易被散射。
二次电子能量相对较低（通常 < 50eV），天津台式电镜厂家，虽然在整个相互作用区中都可产生二次电子，但只有样品表面的二次电子才可以逸出材料表面，从而被检测到，这种特性使得二次电子可以提供更好的形貌信息成像。
背散射电子来自从样品中散射逸出的入射电子。
这种散射过程高度依赖于电子运动路径上所遇到的原子。
这意味着，可以从背散射电子信号中观察出成分称度差异。
背散射电子的能量比二次电子高一个数量级，可以提供样品更深处的成像信息。
背向散射电子(Backscattered Electr)：入射电子与样品子发生弹性碰撞，而逃离样品表面的高能量电子，其动能等于或略小于入射电子的能量。
背向散射电子产生的数量，会因样品元素种类不同而有差异，样品中平均原子序越高的区域，释放出来的背向散射电子越多，背向散射电子影像也就越亮，因此背向散射电子影像有时又称为原子序对比影像。
由于背向散射电子产生于距样品表面约5000?的深度范围内，由于入射电子进入样品内部较深，电子束已被散射开来，因此背向散射电子影像分辨率不及二次电子影像。
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